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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -100V; -52A; 300W; TO3P


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -100V; -52A; 300W; TO3P
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -100V; -52A; 300W; TO3P
N. Articolo:
     5068-IXTQ52P10P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTQ52P10P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO3P
Tempo di prontitudine: 120ns
Tensione drenaggio-fonte: -100V
Corrente di drenaggio: -52A
Resistenza nello stato di conduzione: 50mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 300W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 60nC
Tecnologia: PolarP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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