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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns
N. Articolo:
     5068-IXTQ36N50P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTQ36N50P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO3P
Tempo di prontitudine: 400ns
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 36A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,17Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 540W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: standard power mosfet
Carico della porta: 82nC
Genere di canale: arricchito
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