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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
N. Articolo:
     5068-IXTQ200N10T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTQ200N10T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO3P
Tempo di prontitudine: 76ns
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 200A
Resistenza nello stato di conduzione: 5,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 550W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: thrench gate power mosfet
Carico della porta: 152nC
Genere di canale: arricchito
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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