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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -150V; -10A; 83W; 120ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -150V; -10A; 83W; 120ns
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -150V; -10A; 83W; 120ns
N. Articolo:
     5068-IXTP10P15T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTP10P15T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tempo di prontitudine: 120ns
Tensione drenaggio-fonte: -150V
Corrente di drenaggio: -10A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,35Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 83W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 36nC
Tecnologia: TrenchP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
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