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Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolare; 100V; 200A; 1040W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolare; 100V; 200A; 1040W
Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolare; 100V; 200A; 1040W
N. Articolo:
     5068-IXTK200N10L2
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTK200N10L2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO264
Tempo di prontitudine: 245ns
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 200A
Resistenza nello stato di conduzione: 11mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,04kW
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 540nC
Tecnologia: Linear L2™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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