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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -100V; -170A; 890W; TO264


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -100V; -170A; 890W; TO264
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -100V; -170A; 890W; TO264
N. Articolo:
     5068-IXTK170P10P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTK170P10P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO264
Tempo di prontitudine: 176ns
Tensione drenaggio-fonte: -100V
Corrente di drenaggio: -170A
Resistenza nello stato di conduzione: 14mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 890W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 240nC
Tecnologia: PolarP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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