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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -65V; -120A; 298W; 53ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -65V; -120A; 298W; 53ns
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -65V; -120A; 298W; 53ns
N. Articolo:
     5068-IXTH120P065T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTH120P065T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tempo di prontitudine: 53ns
Tensione drenaggio-fonte: -65V
Corrente di drenaggio: -120A
Resistenza nello stato di conduzione: 10mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 298W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 185nC
Tecnologia: TrenchP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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