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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXTB30N100L
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTB30N100L
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: PLUS264™
Tempo di prontitudine: 1µs
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 30A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,45Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 800W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: linear power mosfet
Carico della porta: 545nC
Genere di canale: arricchito
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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