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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 32A; 300W; TO268


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 32A; 300W; TO268
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 32A; 300W; TO268
N. Articolo:
     5068-IXGT32N120A3
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGT32N120A3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 32A
Corrente del collettore nel impulso: 230A
Tempo d'avvio: 239ns
Tempo d'interruzione: 1,38s
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 300W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 89nC
Tecnologia: GenX3™;PT
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