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Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO268


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO268
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO268
N. Articolo:
     5068-IXGT10N170
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGT10N170
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tensione collettore-emettitore: 1,7kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 10A
Corrente del collettore nel impulso: 70A
Tempo d'avvio: 0,3µs
Tempo d'interruzione: 630ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 110W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 32nC
Tecnologia: NPT
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