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Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
N. Articolo:
     5068-IXGR32N90B2D1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGR32N90B2D1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: PLUS247™
Tensione collettore-emettitore: 900V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 22A
Corrente del collettore nel impulso: 200A
Tempo d'avvio: 42ns
Tempo d'interruzione: 690ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 160W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 89nC
Tecnologia: PT;HiPerFAST™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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