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Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B


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Informazioni sul prodotto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
N. Articolo:
     5068-IXGN50N120C3H1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGN50N120C3H1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Tensione invertita max.: 1,2kV
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 50A
Corrente del collettore nel impulso: 240A
Potenza dissipata: 460W
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Tecnologia: GenX3™;PT
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