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Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B


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Informazioni sul prodotto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B
N. Articolo:
     5068-IXGN200N170
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGN200N170
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Tensione invertita max.: 1,7kV
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 160A
Corrente del collettore nel impulso: 1,05kA
Potenza dissipata: 1,25kW
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Tecnologia: NPT
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