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Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 660W; TO247


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXGH90N60B3
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGH90N60B3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
transistor igbt
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 75A
Corrente del collettore nel impulso: 180A
Tempo d'avvio: 29ns
Tempo d'interruzione: 0,22µs
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 660W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 172nC
Tecnologia: GenX3™
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