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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 12A; 100W; TO263


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 12A; 100W; TO263
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 12A; 100W; TO263
N. Articolo:
     5068-IXGA12N120A3
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGA12N120A3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 12A
Corrente del collettore nel impulso: 60A
Tempo d'avvio: 202ns
Tempo d'interruzione: 1545ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 100W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 20,4nC
Tecnologia: GenX3™;PT
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