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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolare; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXFY4N60P3
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFY4N60P3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tempo di prontitudine: 250ns
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 4A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,4Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 114W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 6,9nC
Tecnologia: HiPerFET™;Polar3™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 8A
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