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Modulo; transistor singolo; 1,2kV; 30A; SOT227B; avvitabile; 890W


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Informazioni sul prodotto
Modulo; transistor singolo; 1,2kV; 30A; SOT227B; avvitabile; 890W
Modulo; transistor singolo; 1,2kV; 30A; SOT227B; avvitabile; 890W
N. Articolo:
     5068-IXFN30N120P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFN30N120P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tempo di prontitudine: 300ns
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 30A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,35Ω
Potenza dissipata: 890W
Polarizzazione: unipolare
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: Transistor MOSFET
Carico della porta: 310nC
Tecnologia: HiPerFET™;Polar™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±40V
Corrente di drain pulsata: 75A
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