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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK
N. Articolo:
     5068-IXBT6N170
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXBT6N170
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: D3PAK
Tensione collettore-emettitore: 1,7kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 6A
Corrente del collettore nel impulso: 36A
Tempo d'avvio: 104ns
Tempo d'interruzione: 700ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 75W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 17nC
Tecnologia: FRED;BiMOSFET™
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