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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268
N. Articolo:
     5068-IXBT42N170A
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXBT42N170A
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tensione collettore-emettitore: 1,7kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 21A
Corrente del collettore nel impulso: 265A
Tempo d'avvio: 33ns
Tempo d'interruzione: 308ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 357W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 188nC
Tecnologia: BiMOSFET™
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