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Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B


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Informazioni sul prodotto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
N. Articolo:
     5068-IXBN75N170
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXBN75N170
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Tensione invertita max.: 1,7kV
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 75A
Corrente del collettore nel impulso: 680A
Potenza dissipata: 625W
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Tecnologia: BiMOSFET™
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