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Transistor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268
Transistor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268
N. Articolo:
     5068-IXA4IF1200TC
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXA4IF1200TC
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 5A
Corrente del collettore nel impulso: 9A
Tempo d'avvio: 110ns
Tempo d'interruzione: 350ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 45W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 12nC
Tecnologia: Planar;Sonic FRD™;XPT™
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