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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-IRFP90N20DPBF
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IRFP90N20DPBF
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio:
THT
Corpo:
TO247AC
Tensione drenaggio-fonte:
200V
Corrente di drenaggio:
94A
Resistenza nello stato di conduzione:
23mΩ
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
580W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
tubo
Carico della porta:
180nC
Tecnologia:
HEXFET®
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±30V
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N THT
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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