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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -0,49A; 1,3W; DIP4


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -0,49A; 1,3W; DIP4
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -100V; -0,49A; 1,3W; DIP4
N. Articolo:
     5068-IRFD9110PBF
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFD9110PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: THT
Corpo: DIP4
Tensione drenaggio-fonte: -100V
Corrente di drenaggio: -0,49A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,2Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,3W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 8,7nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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