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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 75V; 120A; 300W; TO220AB


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 75V; 120A; 300W; TO220AB
N. Articolo:
     5068-IRFB3207ZGPBF
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFB3207ZGPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 75V
Corrente di drenaggio: 120A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 300W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 0,12µC
Tecnologia: HEXFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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