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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8
Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8
N. Articolo:
     5068-IRF7506TRPBF
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF7506TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -1,7A
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 1,25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: bobina
Tecnologia: HEXFET®
Genere di canale: arricchito
Altri termini di ricerca: MOSFET, mosfet di potenza
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