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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 4,7A; Idm: 13A; 30W


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N. Articolo:
     5068-IMW120R350M1HXKSA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMW120R350M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 4,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 662mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 30W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Tecnologia: SiC;CoolSiC™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -7...23V
Corrente di drain pulsata: 13A
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3491MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
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1ED3491MC12MXUMA1
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