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Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
N. Articolo:
     5068-IKD04N60RATMA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKD04N60RATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 4A
Corrente del collettore nel impulso: 12A
Tempo d'avvio: 22ns
Tempo d'interruzione: 317ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 75W
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 27nC
Tecnologia: TRENCHSTOP™ RC
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