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Transistor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3
Transistor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3
N. Articolo:
     5068-IHW30N110R3
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IHW30N110R3FKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione collettore-emettitore: 1,1kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 30A
Corrente del collettore nel impulso: 90A
Tempo d'interruzione: 470ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 166W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Carico della porta: 180nC
Tecnologia: TRENCHSTOP™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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