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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-HS8K1TB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     HS8K1TB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: uDFN8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 10/11A
Resistenza nello stato di conduzione: 20/16,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 6/7,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 40...44A
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