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Transistor: IGBT; 1,8kV; 40A; 375W; TO3PN


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 1,8kV; 40A; 375W; TO3PN
Transistor: IGBT; 1,8kV; 40A; 375W; TO3PN
N. Articolo:
     5068-GT40WR21
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     GT40WR21,Q(O
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: TOSHIBA
Montaggio: THT
Corpo: TO3PN
Tensione collettore-emettitore: 1,8kV
Tensione porta - emettitore: ±25V
Corrente del collettore: 40A
Corrente del collettore nel impulso: 80A
Tempo d'avvio: 950ns
Tempo d'interruzione: 570ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 375W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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