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Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-GD10PJX65F1S
Produttore:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N. Art. Produtt.:
     GD10PJX65F1S
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo diodo
Moduli diodi
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Corpo: F1.1
Tensione invertita max.: 650V
Struttura del semiconduttore: diodo/transistor
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 10A
Corrente del collettore nel impulso: 20A
Montaggio elettrico: Press-in PCB
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Tecnologia: Trench FS IGBT
Topologia: raddrizzatore 3-fasi;termistore NTC;boost chopper;ponte 3-fase IGBT uscita OE
Altri termini di ricerca: FET di giunzione, Transistor, modulo diodo
Riepilogo condizioni1
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