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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W; TO220AB
N. Articolo:
     5068-FQP3N80C
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQP3N80C
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 1,9A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,8Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 107W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 16,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 12A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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