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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 1,95A; Idm: 12A; 30W; DPAK


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 1,95A; Idm: 12A; 30W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 1,95A; Idm: 12A; 30W; DPAK
N. Articolo:
     5068-FQD4N20TM
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQD4N20TM
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 200V
Corrente di drenaggio: 1,95A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,4Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 30W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 6,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 12A
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