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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -500V; -1,33A; Idm: -8,4A; 50W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -500V; -1,33A; Idm: -8,4A; 50W
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -500V; -1,33A; Idm: -8,4A; 50W
N. Articolo:
     5068-FQD3P50TM-F085
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQD3P50TM-F085
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: -500V
Corrente di drenaggio: -1,33A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,9Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 50W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 23nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: -8,4A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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