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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -400V; -0,98A; Idm: -6,24A; 38W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -400V; -0,98A; Idm: -6,24A; 38W
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -400V; -0,98A; Idm: -6,24A; 38W
N. Articolo:
     5068-FQD2P40TM
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQD2P40TM
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: -400V
Corrente di drenaggio: -0,98A
Resistenza nello stato di conduzione: 6,5Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 38W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 13nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: -6,24A
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