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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -8,05A; Idm: -45,6A; 53W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -8,05A; Idm: -45,6A; 53W
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -8,05A; Idm: -45,6A; 53W
N. Articolo:
     5068-FQB11P06TM
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FQB11P06TM
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -8,05A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,175Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 53W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 17nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: -45,6A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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