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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 25V; 7A; Idm: 28A; 1,6W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-FDMB3900AN
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMB3900AN
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
SMD transistor
Transistor SMD
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: MicroFET
Tensione drenaggio-fonte: 25V
Corrente di drenaggio: 7A
Resistenza nello stato di conduzione: 33mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 1,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 17nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 28A
Altri termini di ricerca: smd transistor
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