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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 25V; 0,22A; 0,3W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-FDG6301N-F085
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDG6301N-F085
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor dual
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SC70-6;SOT363;SC88
Tensione drenaggio-fonte: 25V
Corrente di drenaggio: 0,22A
Resistenza nello stato di conduzione: 7Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 0,3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Riepilogo condizioni1
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