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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 41A; Idm: 162,5A; 417W; TO247


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 41A; Idm: 162,5A; 417W; TO247
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 41A; Idm: 162,5A; 417W; TO247
N. Articolo:
     5068-FCH040N65S3-F155
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCH040N65S3-F155
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 41A
Resistenza nello stato di conduzione: 40mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 417W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 136nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 162,5A
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