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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 20V; 200mA; Idm: 0,4A; 150mW


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-EM6K7T2R
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     EM6K7T2R
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOT563
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 0,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,8Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,15W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: 0,4A
Riepilogo condizioni1
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