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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 24V; 6A; Idm: 60A; 1,6W; WLCSP4


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-EFC4612R-S-TR
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     EFC4612R-S-TR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: WLCSP4
Tensione drenaggio-fonte: 24V
Corrente di drenaggio: 6A
Resistenza nello stato di conduzione: 72mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 1,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 60A
Riepilogo condizioni1
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