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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 0,26A; 0,45W; SOT563


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 0,26A; 0,45W; SOT563
Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 0,26A; 0,45W; SOT563
N. Articolo:
     5068-DMN63D8LV-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN63D8LV-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT563
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 0,26A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,8Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,45W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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