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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 12V; 1,6A; 900mW; X2-DFN1310-6


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DMN1150UFL3-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN1150UFL3-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: X2-DFN1310-6
Tensione drenaggio-fonte: 12V
Corrente di drenaggio: 1,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,21Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,9W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 1,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±6V
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