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Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DG120X07T2
Produttore:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
N. Art. Produtt.:
     DG120X07T2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
transistor igbt
Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247PLUS
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 120A
Corrente del collettore nel impulso: 360A
Tempo d'avvio: 282ns
Tempo d'interruzione: 334ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 893W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 0,86µC
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