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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 2,6A; Idm: 15,6A; 2,5W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 2,6A; Idm: 15,6A; 2,5W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 2,6A; Idm: 15,6A; 2,5W
N. Articolo:
     5068-BXS1150N10M
Produttore:
     Bridgelux
N. Art. Produtt.:
     BXS1150N10M
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: BRIDGELUX
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23-3
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 2,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,15Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 16,3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 15,6A
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