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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-BUK9K22-80EX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK9K22-80EX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: LFPAK33;SOT1210
Tensione drenaggio-fonte: 80V
Corrente di drenaggio: 15A
Resistenza nello stato di conduzione: 54,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 64W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 23,1nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 84A
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