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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 56,4A; Idm: 319A; 79W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-BUK7M6R3-40EX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK7M6R3-40EX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: LFPAK33;SOT1210
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 56,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 12,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 79W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 28,1nC
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 319A
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