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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 40A; Idm: 314A; 64W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-BUK7K5R6-30E.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK7K5R6-30E,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: LFPAK33;SOT1210
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 40A
Resistenza nello stato di conduzione: 10,3mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 64W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 29,7nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 314A
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