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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 60V; 38A; Idm: 213A; 64W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-BUK7K13-60EX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK7K13-60EX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: LFPAK33;SOT1210
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 38A
Resistenza nello stato di conduzione: 22mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 64W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 30,1nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 213A
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