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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -21A; Idm: -120A; 110W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-BUK6Y33-60PX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK6Y33-60PX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -21A
Resistenza nello stato di conduzione: 69mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 110W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 69nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -120A
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